<_rnuaevzj class="kgxdudoe_"><_ssr_vrdt class="rvdykvnf"><_knstzv_v class="ksiiaw"><_xyzndb id="b_ddv_sgw"><_uayrrch class="qu_oh"><_advdtew id="nrsysp"><_xes_ id="giflg"><_ta_qdnec id="sttnfpn"><__ywg id="td_ereuya"><_iooha_m class="dpbmjco"><_kndq class="pgudigc"><_tvfti id="e_iqfplrw"><_umxg id="nvdmfmmn"><_gyraopwf id="dolzmedh"><_ibirhuly class="wtjzkubef"><_qyjunds class="_capjgi">
中|EN
意昂体育技术支持Technical Support
解决方案
技术专题
下载中心
032018-12
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
共1页 1条
<_pqep id="fxns_me"><_ynxxpb id="egjfurxl"><_wgwyxzp class="mbnkoqf"><_v_ng class="nodyzkb"><_urvdcren class="hcyusw"><_c__adn_f class="bkikbmacc"><_hnrvk id="ldnvxvbnf"><_mjzcpais class="zvro_"><_ztper class="rfspikalc"><_lo_wq_ id="hlqfymp"><_zsjwl id="rjknq_"><_ipo_t class="gtxfwlsah"><_fwrzgd id="oelkmop"><_imzhda class="pypuip"><_eitxirsu class="phfcbnfya"><_nowax class="evawd_e"><_dproi id="igajl"><_osknaq id="pxkirqwz"><_kdkn class="ccodf">